光刻 涂覆光刻胶：在晶圆表面均匀涂抹一层光敏材料——光刻胶。 曝光：使用紫外线或其他光源透过具有电路图案的掩模板照射晶圆上的光刻胶层，使部分区域发生化学变化。 蚀刻：利用干法蚀刻（如反应离子蚀刻RIE）或湿法蚀刻去除暴露出来的硅或其他材料层，形成电路结构。 薄膜沉积：包括物理气相沉积(PVD)、化学气相沉积(CVD)等技术，在晶圆上沉积金属、氧化物等材料层用于导电路径、绝缘层等。 切割：将完成加工的晶圆切成单独的芯片（Die）。 封装：为每个芯片提供保护外壳，并连接引脚以便与其他电子元件连接。 硅压阻式传感器 MC0806AS081A

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