一、键合验证样品与结果概述 本次验证确定适用于Tape Ball Grid Array（TBGA）封装的最佳引线键合工艺和涂层材料配方，这标志着我们首次尝试使用18微米的钯铜（Pd Cu）线来实现47微米键合间距（Bond pad Pitch, BPP）的大规模生产能力。图1验证样品示意图 本研究涉及4个关键因素的表征和优化:键合劈刀、等离子体清洗、涂层键合线的涂层和引线键合机的键合参数。 通过一系列的评估和DOES，根据引线键合的完整和可键合性，在每个因素上建立了优化的参数。所有优化的设置后来都被集成并进行了 HVM (high volume manufacturing)运行。从 HVM验证中，所有引线键合质量要求都得到了满足。引线键合MTBA超过2小时，并成功通过了工业级封装可靠性应力测试，没有电气故障。 二、绝缘涂层键合线产品介绍 1.由于键合的灵活性，无需担心线短路，绝缘线在焊线布局设计中提供了完全的灵活性，这导致芯片尺寸减小，因为焊盘不再需要布局芯片的外围边缘，绝缘引线键合工艺的阵列引线键合还提供了基板和引线框设计的灵活性，这反过来又实现了基板/引线...

  先进的线键合技术正不断被推向更高的性能(更细的间距、更长的线弧)，这导致了封装和组装成本的不断增加。 绝缘线键合技术通过在当前使用的键合丝上提供连续的绝缘涂层来帮助解决这些关键问题。绝缘线键合技术利用现有的线键合组装基础设施和工艺。 表1展示了在几种代表半导体组装作业现有组合的封装类型上获得的典型绝缘线键合性能。评估使用的是ASM Eagle AERO®线键合机，以及来自SPT的劈刀。 Table 1: ASM®评估绝缘涂层键合线(Table 1: ASM® Evaluation of Insulated BondingWire) 绝缘键合线技术在试生产中的表现证明了其满足当前和未来制造要求所需的稳健性。上文展示了第一键合点和第二键合点的绝缘线键合形态，这些形态非常符合行业可接受的标准。 涂层的粘附性在键合操作前、中、后都被发现非常出色。从微观照片中没有观察到涂层从基材线脱落的情况，尽管为了形成第二个键合点（sticth bond）通常需要发生塑性变形。在球形形成过程中，键合线在球颈部直至自由空气球顶部仍然覆盖有绝缘涂层。在形成第二个键合点时，按...

西安泰豐瑞電子科技有限公司使用的涂层键合线技术已经应用半导体领域封装和芯片设计，目前正在商业化。这一独特的突破性技术称为绝缘涂层技术由专有的纳米技术制作的绝缘涂层材料。 适用于裸金和铜键合线用于封装。发展更快、更小和更便宜的芯片，同时改善制造可靠性。 引线键合使用的引线键合设备通过压力，温度和超声波能量形键合线到焊盘的互连焊接。通常有两种类型的键合方式。引线键合形成球型键合和楔形键合。 一．涂层键合线的技术优势 1.允许使用更细直径的金和铜键合线促进更小的微芯片封装装并降低黄金成本。 2.提高制造良率 通过防止电气短路。 3.允许键合线交叉或 接触不短路大大的增加芯片和封装设计和布局灵活性。 4.允许使用简化的引线键合线弧设定和更长的键合线弧。 5.提高互连密度和带宽，提高芯片整体性能和功能性。 6.无需投资新的封装设备，在原有的键合机上直接使用绝缘涂层技术的键合线。 二．涂层键合线的应用 1. Array & Multi-Row QFN 2. Low I/O Lead Frame 3. Wire Diameter Reduction (Gold) 4. Wire Sweep Yield ...

  VCSEL 芯片：垂直腔面发射激光器 （VCSEL） 是顶部发射源，可以在切割、分 拣和包装之前进行晶圆探测。这使得 VCSEL 可以很容易地封装成许多不同的外形尺寸。 VCSEL 芯片有多种尺寸。用于小型接近传感器的单孔径 VCSEL 芯片的尺寸为~200 um，而 VCSEL 电源阵列的长度几乎可以达到 2 mm。芯片制造后，晶圆被减薄至 ~ 100 um 厚度，然后进行测试、切割和分选成单个芯片。 标准 VCSEL 芯片是垂直导电的，阳极位于顶部焊盘上，阴极是底部基板。VCSEL 芯片的顶部和底部均采用专有的金属化堆栈，以减少欧姆接触损耗，提高金属化附着 力，并防止封装组装前的氧化。在芯片的顶部（阳极）和底部（阴极）上涂上一层 2 μm 厚的金作为最终金属化层，以提高引线键合、芯片粘附和热扩散的可靠性。焊盘 集成在芯片顶部，用于连接直径为 1 mil （25 μm）的引线焊。小型 VCSEL 芯片的焊 盘区域宽度和长度为 80-100um，用于单引线键合。高功率 VCSEL 具有较长的焊盘区 域，连接多个引线键合。 VCSEL 芯片设计为符合...