涂层键合线
- 允许使用更细直径的金和铜键合线 促进更小的微芯片封装装并降低黄金成本。
- 提高制造良率 通过防止电气短路。
- 允许键合线交叉或 接触不短路大大的增加芯片和封装设计和布局灵活性。
- 允许使用简化的引线键合线弧设定和更长的键合线弧。
- 提高互连密度和带宽，提高芯片整体性能和功能性。
- 无需投资新的封装设备，在原有的键合机上直接使用X-WIRE技术的键合线。
涂层键合线技术介绍 西安泰豐瑞電子科技有限公司使用的涂层键合线技术已经应用半导体领域封装和芯片设计，目前正在商业化。这一独特的突破性技术称为绝缘涂层技术由专有的纳米技术制作的绝缘涂层材料。适用于裸金和铜键合线用于封装。发展更快、更小和更便宜的芯片，同时改善制造可靠性。
引线键合使用的引线键合设备通过压力，温度和超声波能量形键合线到焊盘的互连焊接。通常有两种类型的键合方式。引线键合形成球型键合和楔形键合。
一．涂层键合线的技术优势：
A.允许使用更细直径的金和铜键合线 促进更小的微芯片封装装并降低黄金成本。
B.提高制造良率 通过防止电气短路。
C.允许键合线交叉或 接触不短路大大的增加芯片和封装设计和布局灵活性。
D.允许使用简化的引线键合线弧设定和更长的键合线弧。
E.提高互连密度和带宽，提高芯片整体性能和功能性。
F.无需投资新的封装设备，在原有的键合机上直接使用绝缘涂层技术的键合线。
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二．涂层键合线的应用： 1.Array & Multi-Row QFN 2.Low I/O Lead Frame 3.Wire Diameter Reduction (Gold) 4.Wire Sweep Yield Improvement 5.Die Shrink 5.Substrate Simplification 6.Power Applications 7..RF/Coaxial Wire Bonding Applications 8.Stacked Die 9.Flip-Chip to Wire Bond Conversion 10.Rapid Prototyping 11.Engineering Changes
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三.涂层键合线的技术特点和性能 电气性能 击穿电压0 ~ 50V，典型值为 0.8mil 绝缘键合线 定制电压 > 100V 是可根据要求提供 涂层厚度 75nm 是针对50V电压的涂层厚度 涂层特点 a)优秀的键合性能 b)耐溶剂性 c)优秀的抗挠曲强度 d)极强的热稳定性 e)环保的涂层材料 f)不开裂、不剥落、不起皮 g)耐 IPA 化学腐蚀 h)良好的粘结性 i)不熔化，测试温度 >300 °C j)有机材料，RoHS |
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涂层键合线与ASM®Evaluation 20 um, SPT Capillary数据表
西安泰丰瑞电子开发了独创的纳米涂层键合线，可以有效的解决半导体封装遇到的交叉线，超长线，触碰线，不短路。提高布线密度和I/O连接，目前又开发出绝缘涂层铜线，以更低的成本来应对半导封装的挑战，绝缘涂层铜线
和金线有一样产品性能，使用成本更低。
