半导体工艺流程

光刻 涂覆光刻胶：在晶圆表面均匀涂抹一层光敏材料——光刻胶。曝光：使用紫外线或其他光源透过具有电路图案的掩模板照射晶圆上的光刻胶层，使部分区域发生化学变化。蚀刻：利用干法蚀刻（如反应离子蚀刻RIE）或湿法蚀刻去除暴露出来的硅或其他材料层，形成电路结构。薄膜沉积：包括物理气相沉积（PVD）、化学气相沉积（CVD）等技术，在晶圆上沉积金属、氧化物等材料层用于导电路径、绝缘层等。切割：将完成加工的晶圆切成单独的芯片（Die）。封装：为每个芯片提供保护外壳，并连接引脚以便与其他电子元件连接。硅压阻式传感器 MC0806AS081A...

绝缘涂层键合线

西安泰豐瑞電子科技有限公司使用的涂层键合线技术已经应用半导体领域封装和芯片设计，目前正在商业化，该技术由一种专有的纳米级绝缘涂层材料组成，该材料应用于裸金和铜键合线，可实现更快、更小和更便宜的芯片的开发，同时提高制造可靠性。

绝缘涂层键合金线

  随着半导体行业继续向更高的引脚(Lead Finger)、更细的间距、多排接合焊盘和多堆叠芯片器件发展，通过引线键合的互连成为当今半导体封装工艺的挑战。泰丰瑞电子开发了绝缘涂层键合线(金线和铜线)。 可以实现复杂的封装设计，提高封装性能，提高高密度封装的成品率。本文概述了基于绝缘涂层键合线的涂层技术，以及相关辅助封装和设计技术。绝缘涂层键合金线的材料设计考虑及其性能，以及封装和组装考虑也将得到解决。...

绝缘涂层键合铜线的互联技术及工艺制程的改进与验证

针对绝缘涂层键合铜线 SSB 互联技术的难点,分析了影响绝缘涂层键合铜线 SSB 工艺的主要因素,包含芯片的焊盘结构与成分、键合夹具、键合劈刀、键合工艺、键合线材等。在此基础上,通过分析在不同保护气体中FAB 尺寸的稳定性,以及不同保护装置中 FAB 形状的稳定性,研究了防止绝缘涂层键合铜线键合焊盘损伤和“铝挤出”的技术。针对存在的难点制定出有效的解决方案，并确立绝缘涂层键合铜线以及SSB 互联键合的焊盘尺寸和允许线径的匹配要求。 通过应用工艺控制方法,可以解决和控制 SSB 互联工艺的技术难点。随着集成电路封装中绝缘涂层键合铜线工艺的快速发展,通过对设备、工艺、材料等各环节的优化和控制,绝缘涂层键合铜线 SSB 互联工艺将会得到更好的发展。...

NXP-SOT126 2nd Bond鱼尾改进与验证

在NXP SOT1260封装初次发布并完成其表征过程时，在第一点键合和第二点键合方面没有发现键合问题。此封装使用了标准的PPF引线框架与18μm金线进行了验证。认证完成，该参数便被推广到其他类似的封装中，这些封装也使用了18μm的金线。最终，在对NXP SOT1261封装在PPF引线框架上的工艺表征进行第一次试验时，发现了大量的短线尾（过早断尾失效）和鱼尾现象。第二焊点键合时短线尾和鱼尾失效机制可能同时发生，因为工艺相同。这涉及到在下一个键合周期中形成下一个线尾时，第二点键合出现过早断裂。这两种失效机制可以归为一类，因为在拉力强度方面它们形成了低强度Sticth Bond,如图1所示的低Stitch Bond Strength因果图。 图1: Fish Bond Diagram - NXP SOT1261 Stitch Bond 经过优先级排序，最高级别的输入变量列表如下: 1. 第二焊点键合参数 （Second Bond Parameter ） 2.劈刀几何结构 3.等离子体有效性 4.根据优先级验证第二焊点键合参数设置对鱼尾现象的影响,使用现有参数测试第二焊点键合在NXP-SOT1260上的性...

绝缘涂层键合线

一、绝缘涂层键合线的技术概述 西安泰豐瑞電子科技有限公司 使用的绝缘涂层键合线技术已经应用半导体领域封装和芯片设计，目前正在商业化，该技术由一种特有的纳米级绝缘涂层材料制成，该材料应用于裸金和铜键合线，可实现更快、更小和更便宜的芯片的开发，同时提高制造可靠性。 今天的电子设备通常由成百上千个子组件组成，其中许多是芯片集成电路。例如，手机、电视、计算机和汽车都内置有集成电路元件，这些元件使用数千根极细的电线(比人的头发还细)，称为键合线，以形成它们运行所需的电气连接。这些键合线通常由金、铜或铝键合线制成。 多年来，对更小、更强大和更便宜的芯片的需求不断推动设计人员和制造商生产具有更高密度和更多功能的器件。这些密集封装的器件处于电气和物理极限，其中由裸(非绝缘)键合线制成的传统引线键合往往会接触和短路，从而导致制造良率问题并限制芯片设计人员实现进一步小型化或功能化。在过去的20多年中,微电子行业得出的结论是,如果将键合线绝缘并允许接触、交叉和弯折,而不会影响产品性能、成本和质量,那么这些问题中的许多问...