绝缘金钯铜线应用于( Ultra-Low-Loop) ULL线弧封装工艺和验证改进流程

绝缘线的一个关键的潜在应用在低于50um线弧高度的超低线弧（ULL）应用。

全功能三温分选机DX1208SLT

芯片全功能三温分选机SLT系统级测试是半导体制造和测试领域中用于对集成电路（IC）进行最终质量检验的关键设备。这种设备不仅能够模拟实际工作环境对芯片进行全面的功能性测试

大功率车规半导体引线键合机

功率半导体（模块）封装是将通过测试的晶圆，按照产品型号和它的功能需求进行加工，之后得到独立芯片的过程。其中最核心的工序即为芯片焊接和引线键合。由于功率半导体特色工艺的属性，后端封装，尤其是功率模块的封装，对产品的性能、一致性、稳定性和工作环境耐受性均具有很大的影响。

绝缘涂层键合线技术评估报告

请查看随附的IPA测试报告：测试结果良好，键合线涂层（BDV在经过7天（1周）168小时的 IPA 浸泡后未显示出任何电压降低的迹象。关于键合线的涂层厚度：产品可接受的范围是：【15nm 至95nm]我司使用平均或中位击穿电压（BDV作为厚度的替代测量值，这是产品的出货质量保证（QA），必测试项目之壹，每次交货可以在合格证书（CoC）中看到该数据。BDV的换算公式如下：BDV =Kx厚度i.K系数的范围为：K=1.33至1.95是基于我们长期测试裸线经验所得出的【机密且专有测量方法1。根据每批裸线的表面状况调整【KI值。ii.贵司收到的两批次产品采用了不同的【K]系数值，因此对应的厚度范围也不同。但这两批次产品的BDV均大于 20V。...

半导体工艺流程

光刻 涂覆光刻胶：在晶圆表面均匀涂抹一层光敏材料——光刻胶。 曝光：使用紫外线或其他光源透过具有电路图案的掩模板照射晶圆上的光刻胶层，使部分区域发生化学变化。 蚀刻：利用干法蚀刻（如反应离子蚀刻RIE）或湿法蚀刻去除暴露出来的硅或其他材料层，形成电路结构。 薄膜沉积：包括物理气相沉积(PVD)、化学气相沉积(CVD)等技术，在晶圆上沉积金属、氧化物等材料层用于导电路径、绝缘层等。 切割：将完成加工的晶圆切成单独的芯片（Die）。 封装：为每个芯片提供保护外壳，并连接引脚以便与其他电子元件连接。 硅压阻式传感器 MC0806AS081A...

半导体工艺流程

光刻 涂覆光刻胶：在晶圆表面均匀涂抹一层光敏材料——光刻胶。曝光：使用紫外线或其他光源透过具有电路图案的掩模板照射晶圆上的光刻胶层，使部分区域发生化学变化。蚀刻：利用干法蚀刻（如反应离子蚀刻RIE）或湿法蚀刻去除暴露出来的硅或其他材料层，形成电路结构。薄膜沉积：包括物理气相沉积（PVD）、化学气相沉积（CVD）等技术，在晶圆上沉积金属、氧化物等材料层用于导电路径、绝缘层等。切割：将完成加工的晶圆切成单独的芯片（Die）。封装：为每个芯片提供保护外壳，并连接引脚以便与其他电子元件连接。硅压阻式传感器 MC0806AS081A...