涂层键合线技术介绍

涂层键合线技术介绍 西安泰豐瑞電子科技有限公司使用的涂层键合线技术已经应用半导体领域封装和芯片设计，目前正在商业化。这一独特的突破性技术称为绝缘涂层技术由专有的纳米技术制作的绝缘涂层材料。适用于裸金和铜键合线用于封装。发展更快、更小和更便宜的芯片，同时改善制造可靠性。 引线键合使用的引线键合设备通过压力，温度和超声波能量形键合线到焊盘的互连焊接。通常有两种类型的键合方式。引线键合形成球型键合和楔形键合。 一．涂层键合线的技术优势： A.允许使用更细直径的金和铜键合线 促进更小的微芯片封装装并降低黄金成本。 B.提高制造良率 通过防止电气短路。 C.允许键合线交叉或 接触不短路大大的增加芯片和封装设计和布局灵活性。 D.允许使用简化的引线键合线弧设定和更长的键合线弧。 E.提高互连密度和带宽，提高芯片整体性能和功能性。 F.无需投资新的封装设备，在原有的键合机上直接使用绝缘涂层技术的键合线。 二．涂层键合线的应用： 1.Array & Multi-Row QFN 2.Low I/O Lead Frame 3.Wire Diameter Reduction (Gol...

VCSEL 芯片封装

  VCSEL 芯片：垂直腔面发射激光器 （VCSEL） 是顶部发射源，可以在切割、分 拣和包装之前进行晶圆探测。这使得 VCSEL 可以很容易地封装成许多不同的外形尺寸。 VCSEL 芯片有多种尺寸。用于小型接近传感器的单孔径 VCSEL 芯片的尺寸为~200 um，而 VCSEL 电源阵列的长度几乎可以达到 2 mm。芯片制造后，晶圆被减薄至 ~ 100 um 厚度，然后进行测试、切割和分选成单个芯片。 标准 VCSEL 芯片是垂直导电的，阳极位于顶部焊盘上，阴极是底部基板。VCSEL 芯片的顶部和底部均采用专有的金属化堆栈，以减少欧姆接触损耗，提高金属化附着 力，并防止封装组装前的氧化。在芯片的顶部（阳极）和底部（阴极）上涂上一层 2 μm 厚的金作为最终金属化层，以提高引线键合、芯片粘附和热扩散的可靠性。焊盘 集成在芯片顶部，用于连接直径为 1 mil （25 μm）的引线焊。小型 VCSEL 芯片的焊 盘区域宽度和长度为 80-100um，用于单引线键合。高功率 VCSEL 具有较长的焊盘区 域，连接多个引线键合。 VCSEL 芯片设计为符合...

涂层键合线技术介绍

西安泰豐瑞電子科技有限公司使用的涂层键合线技术已经应用半导体领域封装和芯片设计，目前正在商业化。这一独特的突破性技术称为绝缘涂层技术由专有的纳米技术制作的绝缘涂层材料。 适用于裸金和铜键合线用于封装。发展更快、更小和更便宜的芯片，同时改善制造可靠性。 引线键合使用的引线键合设备通过压力，温度和超声波能量形键合线到焊盘的互连焊接。通常有两种类型的键合方式。引线键合形成球型键合和楔形键合。 一．涂层键合线的技术优势 1.允许使用更细直径的金和铜键合线促进更小的微芯片封装装并降低黄金成本。 2.提高制造良率 通过防止电气短路。 3.允许键合线交叉或 接触不短路大大的增加芯片和封装设计和布局灵活性。 4.允许使用简化的引线键合线弧设定和更长的键合线弧。 5.提高互连密度和带宽，提高芯片整体性能和功能性。 6.无需投资新的封装设备，在原有的键合机上直接使用绝缘涂层技术的键合线。 二．涂层键合线的应用 1. Array & Multi-Row QFN 2. Low I/O Lead Frame 3. Wire Diameter Reduction (Gold) 4. Wire Sweep Yield ...